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财联社 1 月 2 日讯 （编辑 周子意）周五 （1 月 2 日），韩国基准股指 Kospi 在其 2026 年首个交易日中首次突破 4,300 点关口，收盘创历史新高，而这主要由大型半导体股的强劲上涨所牵引。
基准韩国综合股价指数 （KOSPI） 收涨 2.27% 于 4,309.63 点，首次突破 4,300 点关口，并打破去年 11 月 3 日创下的上一个高点 4221.87 点；韩国创业板指数 （KOSDAQ） 也收于 945.57，上涨 2.17%。
当日，外资净买入约 6300 亿韩元，引领上涨趋势；相比之下，个人和机构投资者分别净售出约 4500 亿和 2300 亿韩元。
交易态势偏积极
强劲的出口似乎缓解了近期美国股市疲软带来的压力。韩国政府 1 月 1 日公布的数据显示，2025 年该国出口达到历史新高 7097 亿美元，首次突破 7000 亿美元的里程碑，这得益于人工智能和半导体产业的增长。
元大证券分析师 Kim Yong-gu 指出，「在全球经济增长、销售和盈利的良性循环，以及政府全力刺激经济和股市的背景下，预计 KOSPI 股指将呈中性至积极的交易态势。」
另有分析指出，一月份股市的表现可以作为全年趋势的衡量标准，新年首个交易日 KOSPI 指数强劲的上涨提升了投资者对今年市场的预期。
韩国头部综合金融机构韩华证券研究员 Kim Soo-yeon 就表示，「自 2013 年以来对 26 个行业的分析显示，1 月上涨的板块在全年上涨的概率约为 60%。
科技板块活跃
从成分股表现来看，大型科技股带领了指数的上涨，投资者也在押注人工智能带来的持续作用力。
周五，市场风向标三星电子飙升 7.17%，至 128,500 韩元；芯片巨头 SK 海力士上涨 3.99%，至 67.7 万韩元。值得一提的是，这两家芯片巨头双双创下历史新高。
目前，这两家公司正在人工智能芯片市场展开激烈竞争。在 10 月举行的 2025 半导体展览会上，两家公司分别展示了各自研发的下一代高带宽内存 HBM4 芯片，表明了引领半导体行业的信心。
目前市场仍由第五代 HBM3E 芯片主导，但业内观察人士预计，HBM4 将在明年成为一个主要因素，因为英伟达计划在其下一代 AI 加速器 Rubin 中使用它。
上月，有报道称，三星计划于 2026 年 2 月启动 HBM4 芯片的大规模量产，SK 海力士也将在相近时间开启量产进程，此举标志着全球内存半导体产业迈入一个全新阶段。
值得一提的是，三星电子联席首席执行官兼芯片主管 Jun Young-hyun 在新年致辞中表示，三星 HBM4 的差异化竞争力得到了客户的一致好评，并宣告 「三星回来了」。
Counterpoint Research 的数据显示，在 2025 年第三季度，SK 海力士占据了 HBM 市场 53% 的份额；三星紧随其后，占 35%；美光占 11%。
