财联社 1 月 27 日讯 （编辑 卞纯）当地时间周一，美光科技宣布，位于新加坡现有 NAND 闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工，计划未来十年投资约 240 亿美元，预计 2028 年下半年投产。这笔投资将创造约 1600 个就业岗位。
该工厂将成为新加坡首座双层晶圆制造工厂，建成后将提供约 70 万平方英尺的无尘室空间。
此次投资聚焦 NAND 闪存领域，将有助于美光满足人工智能 （AI） 驱动的对 NAND 闪存不断增长的市场需求。
这项新投资，预计也将巩固新加坡在先进 NAND 闪存制造领域的领导地位。NAND 闪存是一种断电后数据仍可保存、广泛用于固态硬盘、U 盘和手机存储里的非易失性存储芯片。
美光在新加坡已经拥有规模庞大的制造设施，其 98% 的闪存芯片都在那里生产。该公司还在新加坡投资建设了一座价值 70 亿美元的先进封装工厂，用于生产人工智能芯片所需的高带宽内存 （HBM），该工厂预计将于 2027 年开始投产。
美光周一还表示，此前宣布的 HBM 先进封装厂预计将于 2027 年为美光的 HBM 供应做出重要贡献。
「随着 HBM 成为美光新加坡生产布局的一部分，公司预计 NAND 和 DRAM 生产之间将出现协同效应，」 美光在新闻稿中表示，并补充称，公司将保持灵活性，根据市场需求调整新工厂产能爬坡的速度。
眼下，包括消费电子、人工智能服务提供商等多个行业正深陷各类存储芯片的严重短缺困境，而这一局面是由全球争相布局人工智能基础设施所引发的。
近日，美光科技已签署一份意向书，拟以 18 亿美元从力晶积成电子制造股份有限公司 （力积电） 收购其位于中国台湾地区的一处晶圆厂设施，以扩充其存储芯片产能。
在全球存储芯片严重短缺的背景下，不仅是美光，其主要竞争对手韩国三星电子和 SK 海力士均宣布了扩产计划，并将部分设施的投产时间提前。
SK 海力士的一位高管近期表示，随着存储芯片需求的激增给全球供应带来压力，该公司计划将一座新工厂的投产时间提前三个月，并将于 2 月开始运营另一座新工厂。
不过，分析师仍然表示，存储芯片供应短缺的情况可能会持续至 2027 年年底。
