新华财经北京 11 月 6 日电 （丁晶） 放眼存储芯片行业，「涨价」 已成为绕不开的关键词。据报道，SK 海力士与英伟达已就 HBM4（第六代高带宽内存） 供应完成谈判，有消息称 「HBM4 的供应价格将比 HBM3E 高出 50% 以上。」
显然，内存和储存元件继续面临供不应求的局面，在 AI 大模型浪潮推动下，数据中心对高容量、低功耗存储芯片的需求激增，全球存储芯片进入新一轮涨价周期。
受此消息影响，隔夜美股存储芯片概念股大涨，美光科技涨近 9%，股价再创历史新高；西部数据涨超 5%，希捷科技涨超 10%，闪迪涨超 11%。
存储板块如何撑起强势之路？
涨价乐观情绪也蔓延至 A 股市场，早盘存储芯片板块冲高，香农芯创一度创新高，德明利、江波龙、普冉股份等跟涨。随着存储板块持续走强，高带宽内存概念股涨幅尤为显著，香农芯创、精智达、炬光科技、拓荆科技 4 股年内股价翻倍。
当前，产业升级需求与政策支持形成双重驱动力，推动模拟芯片国产化进程加速，为本土厂商创造了前所未有的市场机遇和发展环境。
机构认为，在需求激增之下，全球存储芯片进入新一轮涨价周期。同时，国产 DRAM 领域取得重大突破，叠加行业景气度回升，看好存储芯片板块后市表现。
统计发现，截至 11 月 5 日，科创芯片 ETF 近 2 年净值上涨 101.46%，自成立以来，最高单月回报为 35.07%，最长连涨月数为 4 个月，最长连涨涨幅为 74.17%。新华财经数据显示，截至 10 月 31 日，上证科创板芯片指数前十大权重股分别为海光信息、寒武纪、澜起科技、中芯国际、中微公司、芯原股份、华虹公司、拓荆科技、佰维存储、沪硅产业，前十大权重股合计占比 60.55%。
集邦咨询表示，将第四季度 Conventional DRAM（一般型 DRAM） 价格预估涨幅从先前的 8%-13% 上调至 18%-23%，并且很有可能再度上调。
据长鑫存储官网消息，公司宣布量产 LPDDR5X 产品，产品包括颗粒、芯片及模组等形态，其中颗粒包括 12Gb 和 16Gb 两个容量点，8533Mbps 和 9600Mbps 速率的 LPDDR5X 产品已于今年 5 月量产，10677Mbps 速率的产品已经启动客户送样。长鑫存储通过创新封装技术和优化内存设计，使得 LPDDR5X 产品在容量、速率、功耗上有显著提升，最高速率为 10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代 LPDDR5 提升了 66%，功耗则比 LPDDR5 降低了 30%。
翻阅 A 股存储芯片企业三季报，部分企业受益于 AI 产业趋势、行业需求回暖、产品结构优化等实现净利润增长。兆易创新前三季度净利润为 10.83 亿元，增长 30.18%。兆易创新在机构调研中表示，中小容量 NOR Flash 出现涨价，整体产能联动，大容量转向高端产品，预计 NOR Flash 明年全年的价格仍会维持整体温和上涨态势。另一存储龙头江波龙前三季净利润 7.1 亿元，同比增长 27.95%。其中，第三季度营收为 65.39 亿元，同比增长 54.6%，净利润为 6.98 亿元，较去年同期相比扭亏为盈。
但也有企业因研发投入增加、资产减值、市场竞争等出现净利润下滑甚至亏损，行业发展受多重因素影响表现差异较大。一些厂商明显感受到下游消费电子需求复苏较慢、库存积压。
投资机会：受益产业链一览
存储芯片直接供应商最先受益。长鑫存储、长电科技等国内存储龙头，不仅受益于价格回升，还受益于国产替代加速。特别是长鑫存储的扩产计划，将在未来两年释放巨大产能。
上游材料企业迎来量价齐升。江丰电子的靶材、鼎龙股份的 CMP 抛光垫、安集科技的抛光液等关键材料，都将直接受益于存储芯片产能的提升。
存储模组厂商享受库存重估。朗科科技、佰维存储等模组厂商手中的库存，随着芯片价格上涨将获得重估收益，毛利率有望快速修复。
设备供应商获得新增订单。中微公司、北方华创等设备企业，将受益于存储芯片产线的扩产和升级需求。
对于全球存储芯片市场正加速步入一个 「超级周期」，华西证券表示，多家厂商上调价格，未来涨价热潮或进一步加剧。此外，外部压力正转化为内部创新动力，推动中国在关键科技领域走向自主可控与产业升级。
编辑：胡晨曦
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