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《科创板日报》10 月 18 日讯 （编辑 宋子乔） 当地时间 10 月 17 日，黄仁勋到访台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的半导体制造工厂，共同庆贺首片在美国本土生产的 Blackwell 晶圆正式下线。在庆典现场，黄仁勋与台积电运营副总裁王永利共同在这片晶圆上签名，意味着英伟达最新一代 AI 核心芯片正式在美国本土进入量产阶段。
Blackwell 是英伟达迄今为止最先进的 AI 芯片与超级计算平台，采用台积电 4NP 工艺制造，由 Blackwell GPU、Grace CPU、NVLink 交换机等构成，拥有 2080 亿个晶体管，是其前代 Hopper 芯片 （800 亿个晶体管） 的 2.5 倍以上，其配备 192GB HBM3E 显存并支持第五代 NVLink 技术 （1.8TB/s 双向带宽），引入了多项突破性创新，包括用于提升性能和精度的 FP4 精度、用于更快大型语言模型推理的第二代 Transformer 引擎，以及用于加速数据处理的专用解压引擎。
当地时间 2024 年 3 月 18 日，英伟达在加州圣何塞举行的 GTC 大会上首次展示 Blackwell 处理器，其 GB200 超级芯片可为大模型推理负载提供 30 倍性能提升，同时成本和能耗降低 25 倍；2024 年 6 月，黄仁勋宣布该平台的芯片投产，并在当年四季度确认量产与发货。
黄仁勋在今年年初的演讲中称，Blackwell 在推理模型中的表现是 Hopper 的 40 倍，自 Blackwell 芯片推出一年来，AI 行业取得了巨大进展，AI 功能越来越强大了。2024 年全球前四云服务提供商共采购 130 万片 Hopper 架构芯片，2025 年，它们又购买了 360 万 Blackwell 芯片。预计到 2028 年数据中心建设支出将达 1 万亿美元。黄仁勋还提到，公司正在全力生产 Blackwell，下半年过渡到 Blackwell Ultra。
根据黄仁勋公布的产品路线图，英伟达计划以 「一年一更」 的节奏快速迭代其 AI 芯片架构，计划于 2025 年推出 Blackwell Ultra，作为 Blackwell 的增强版本。
台积电在亚利桑那州凤凰城建设的半导体制造基地 （官方名称为 Fab 21） 于 2022 年 12 月举行移机典礼。该基地计划建设六座先进制程晶圆厂和两座先进封装厂，共同构成一个超大型晶圆厂 （Gigafab） 聚落。短期看，台积电亚利桑那工厂经历三个开发阶段：
第一个阶段是使用其 4nm/5nm 制造技术为苹果制造处理器，其预计将在 2025 年正式投产。
第二阶段的建设则已经接近完成，内容为在 2027 年或 2028 年生产 3nm 或 2nm 级芯片。
第三阶段则计划在本世纪末或下一十年初完工。台积电预计将为此三个开发阶段总计投入约 650 亿美元。
根据规划，台积电亚利桑那州工厂未来将负责生产包括 2 纳米、3 纳米、4 纳米制程的芯片以及 A16 芯片，这些先进技术对于人工智能、电信和高性能计算等前沿应用的发展至关重要。
