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台积电退出氮化镓业务 AI 时代行业能吃到哪些红利?业内人士这样看

2025 年 7 月 10 日
在 24 小时
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《科创板日报》7 月 10 日讯 (记者 陈俊清) 全球晶圆代工龙头台积电近期已正式证实,将在未来两年内逐步退出氮化镓 (GaN) 晶圆代工业务。

近期,纳微半导体公布了一份 8-K 文件。其中提到,「在获悉公司唯一的氮化镓晶圆供应商台积电将于 2027 年 7 月停止 GaN 生产后,纳微将继续计划实现氮化镓晶圆供应来源多元化。台积电向行业媒体证实了退出计划,强调该决定是经过完整评估后,基于市场动态与公司长期业务策略作出的选择。

在台积电退出氮化镓代工业务之际,英飞凌宣布其在 300mm 晶圆 (12 英寸晶圆) 首批样品将于 2025 年第四季度向客户提供。

台积电的退出给氮化镓芯片市场带来哪些影响?有着哪些原因?12 英寸氮化镓晶圆目前发展到什么程度?距离我们还有多远?带着这些问题,《科创板日报》 记者来到英诺赛科位于苏州的全球研发总部,对该公司董事长骆薇薇、CEO 吴金刚进行了专访。

「氮化镓产业不适合代工」

英诺赛科是全球首家实现量产 8 英寸硅基氮化镓晶圆的公司,亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。根据弗若斯特沙利文的资料, 该公司于 2023 年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一,市场份额 33.7%。

对于台积电退出氮化镓 (GaN) 晶圆代工业务,骆薇薇向 《科创板日报》 记者分享了几点看法。她认为,「氮化镓晶圆并不适合代工模式,传统的半导体功率器件结构过于简单,并没有太多代工需求,因此这种模式无法提供足够的投资回报率 (ROI),并且与客户之间缺乏足够的共享和合作。」

在骆薇薇看来,GaN 器件需与设计、应用深度协同,通过 IDM 模式 (垂直整合制造) 直接对接市场是当下更为适合的生产方式,台积电放弃 GaN 代工业务是行业内的差异化选择。

据了解,英诺赛科采取 IDM 经营模式。研发设计、制造、封测等多个产业链环节均实现自主把控。依托苏州和珠海两大生产基地,截至 2024 年末,该公司氮化镓月产能已达 1.3 万片晶圆,良品率超 95%。

英诺赛科 CEO 吴金刚表示, 6 英寸线的代工模式在成本、性价比及技术迭代速度上难以满足客户的设计导入需求。「并不会有大厂会在 6 英寸领域做过大投入,因为 6 英寸只是一个验证,只有做到 8 寸并拥有一定产出规模才是可行的。」

有多名业内人士表示,目前实现 12 英寸氮化镓晶圆产业化仍有较大阻碍。骆薇薇认为,12 寸氮化镓晶圆产业化的阻碍首当其冲的是市场目前并没有 MOCVD 厂商公开宣布已推出支持 12 英寸氮化镓外延的解决方案。

据了解,MOCVD 是氮化镓外延层生长的核心设备,其重要性体现在 GaN 材料生长、器件性能、量产可行性及产业竞争力的方方面面。

其次,从 6 英寸到 8 英寸的过渡已经是指数级的难度增加,而从 8 英寸到 12 英寸的技术挑战更是巨大,只有在 8 英寸平台上达到足够的规模和效率,才有尝试 12 英寸可能。

《科创板日报》 记者注意到,目前英飞凌并未公开表示其 8 英寸氮化镓晶圆相关产量。

氮化镓市场需求增量明显

近年来,氮化镓功率器件在市场的应用出现了较快增长。Yole 预测,全球 GaN 功率器件市场规模将从 2023 年的约 5 亿美元增长至 2029 年的 22 亿美元,年复合增长率 (CAGR) 达 43%。集邦咨询则更乐观,预计到 2030 年市场规模将突破 43.76 亿美元,CAGR 达 49%,主要驱动力来自电动汽车、数据中心、电机驱动等场景。

英诺赛科 2024 年财报显示,该公司在新能源汽车、AI 以及人形机器人领域取得较大突破,车规级芯片交付数量同比增 986.7%,AI 及数据中心芯片交付数量同比增长 669.8%,实现较快增长。

在人形机器人方面,英诺赛科已推出 150V/100V 全系列氮化镓产品,覆盖关节及灵巧手电机驱动、智慧电源转换及电池管等各类应用,其中 100W 关节电机驱动产品已经量产。

骆薇薇向 《科创板日报》 记者表示,从短期来看,目前业务增速较快的领域主要集中在消费电子,原因在于消费类产品的验证周期较短、技术要求相对较低,因此市场推广和客户接受速度较快。

从长期来看,工业领域的市场空间更大,尤其是随着技术成熟和规模化生产,氮化镓在工业场景中的竞争力将逐渐显现。例如,高频、高压的氮化镓器件在工业电源、机器人、人工智能数据中心等领域的应用具有巨大潜力。

关于未来研发方向,据吴金刚透露,英诺赛科以 1200V 器件为突破口,聚焦汽车和工业场景,与碳化硅形成差异化竞争。其中,车载专用氮化镓器件是英诺赛科研发的重点方向之一。尤其是高压双向导通 GaN 器件,英诺赛科今年已经开始给下游客户送样,目前客户反馈良好。

其二是高压部分,加大低压高频氮化镓功率器件的研究,高频目标到 8-10 兆,瞄准 GPU 供电市场。其三是 100V 氮化镓功率器件的研究,瞄准 AI 数据中心 48V 转 12V、新能源汽车以及机器人领域。

产能方面,英诺赛科正在扩产,计划在 2025 年底达到每月 2 万片的产能,目标 2028 年实现每月生产 7 万片氮化镓晶圆。关于产能建设情况,吴金刚表示,目前,无尘室和常规系统都已准备好,只需增加设备即可。

同时,据骆薇薇预测,与 12 英寸氮化镓晶圆预计 2030 年后实现产业化。

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