AI 存储股暴跌，高盛为何敢押注 HBM 翻倍？

文 | 智讯智库分析师 陈宥文

2026 年 7 月，韩国股市遭遇历史级波动——单月内 4 次暴跌熔断，KOSPI 重挫 22%，杠杆 ETF 规模骤缩。「雪崩」 之下，SK 海力士与三星电子股价分别回落 35% 与 23%（高盛研报口径，截至 8 月 4 日回望）[1]。即便两大龙头刚交出创纪录的 Q2 营业利润，跌势仍未止住——市场已提前对这场 「AI 存储超级周期」 投下否定票。（详见前文：SK 海力士巨震：AI 飞轮还能转多久？）

就在这个节点，高盛分析师 Giuni Lee 团队发布韩国存储行业研报，以八大判断系统回应市场疑虑，重申 「买入」 评级[1]。

但这显然不是一份简单的投资参考，而是一份数据密集的卖方维稳辩护——其核心逻辑在于：暴跌之后，两家公司 2027 年远期市盈率已跌至 3.5–3.6 倍，该估值水平已含市场对盈利可持续性的否定态度（原文："the market does not believe in the sustainability of the solid earnings"）；而高盛 「买入」 评级的根基，正是 2027 年 HBM 混合均价 （blended ASP） 接近翻倍的情景假设。若该假设兑现，当前估值便属显著偏低 [1]。

一份指向 2027 年的远期预测，能否支撑当前估值？答案不取决于卖方的论证力度，而取决于一组可观测的产业事实能否逐环节兑现。

本文将其拆解为一系列可检验的命题：哪些逻辑已固化为产业事实，哪些仍悬浮于预期之上？Q3 经营数据将释放哪些验证信号？哪些会强化、哪些会削弱 2027 年 HBM 混合均价接近翻倍的叙事？——区分 「已硬化的事实」 与 「仍悬浮的预期」，是避免被卖方叙事裹挟的关键。

在存储这种高周期、高资本开支、高技术不确定性的产业中，修正预测的速度远比预测本身更重要。

沿此思路，本文聚焦高盛八大判断中与产业逻辑直接相关的核心议题：HBM 定价、LTA 约束效力、库存支撑、NAND 走势与 SK 海力士 Q2 业绩。（其他议题，如股东回报与美股 ADR 等，属公司治理议题，不改变 HBM 产业定价逻辑，不进入本文主线验证框架。）

核心结论速览：

1. 高盛判断，2027 年 HBM 接近翻倍的涨价由三层机制叠加而成：①供需缺口扩大 （-5.4%→-6.0%） 打底，②通用 DRAM 价格反超 HBM、年底看至约 2 美元/Gb 形成锚点，③2027 年合约重谈修复价格与利润率倒挂；涨幅结构上，同规格涨价约六成、产品组合改善约四成 （后者系本文按高盛口径推算，高盛未单独量化 HBM4 贡献）[1]。

2. 高盛与市场预期的分歧，不在 AI 需求真假，而在上述三层链条能否兑现。高盛预测 2027 年 HBM 混合均价约 2.9 美元/Gb（三星+87%、SK 海力士+100%），较 Visible Alpha 市场一致预期 （约 2.3 美元/Gb） 高出约 24%[1]——市场尚未计入高盛判断的涨价幅度。这 24% 的预期差能否被产业事实逐层验证，也正是当前 3.5—3.6 倍 2027 年 PE 背后的分歧源头。

3. 「翻倍」 目前仍属于悬浮的预期，而非已硬化的事实——比预测更重要的，是验证与修正预测的速度。约四成的组合改善高度依赖 HBM4 放量，而 Q2 已证明兑现有限 （SK 海力士营业利润低于市场一致预期约 7%）[1][2]；最可能的推翻路径不是 AI 需求断崖，而是供给加速、竞争放量与资本开支收缩共振 （本文判断）。

4. 库存与 LTA 构成有条件的支撑，NAND 等则是须隔离的边界议题——两者都不直接决定 HBM 价格。前者中，库存健康依赖出货速度维持，长约约束强于历史周期但未经下行周期检验；后者属独立变量或情绪变量，不混入 HBM 定价逻辑 [1]。

上述四个判断可落地为下图所示跟踪框架：

风险提示：本文基于高盛研报与公开产业数据进行产业分析，不构成任何个股投资建议。高盛与 SK 海力士、三星电子存在投行业务关系 （详见其研报披露附录），其观点存在潜在利益冲突。核心下行风险包括：AI 资本开支低于预期、三星 HBM 进展超预期、存储供需恶化、技术迁移延迟、终端需求疲软，以及韩国市场杠杆波动与流动性冲击。2027 年 HBM 价格预测为远期假设，Q3 数据仅提供方向性证据。数据截至 2026 年 8 月。

高盛核心判断：为什么 2027 年 HBM 混合均价可能接近翻倍？

理解这份报告，最关键是先看高盛如何把 2027 年的涨价拆出来——分三步：供需缺口扩大是底色，通用 DRAM 先涨是锚点，HBM 年度合约重谈是兑现窗口。

（注：下文所称 DRAM，均包含通用 DRAM 与 HBM 两类产品。）

    第一步：HBM 供给仍然追不上需求

先看数字。高盛预计，三星和 SK 海力士的 HBM 混合平均售价——也就是不同代际、不同容量 HBM 加权后的平均价格——将在 2027 年接近 2.9 美元/Gb（注：两家公司 HBM 价格接近），分别同比上涨约 87% 和 100%[1]。

支撑这一预测的第一块证据，是供需缺口继续扩大：从 2026 年的-5.4% 扩大到 2027 年的-6.0%。负值越大，代表供不应求越严重 [1]。

为什么各家都在扩产，缺口反而在扩大？答案在 HBM 的生产特性里。

HBM（高带宽存储） 是放在 AI 加速器旁边、用于训练推理的高速内存；通用 DRAM 则是服务器、电脑和手机里的运行内存。两者虽然都叫 「存储」，但 HBM 需要更复杂的堆叠、TSV（硅通孔） 封装与良率管理——同样一片晶圆，做成 HBM 的有效数据容量产出，远低于做成通用 DRAM。代际越往上走，堆叠层数越多，有效产出反而越低。

这就是为什么晶圆投入在按计划增加，HBM 供给却没法同比例跟上。

基于这个供需实际，高盛测算 HBM 收入占两家公司整体 DRAM 总收入的比例，将从 2026 年的约 8%（三星） 和 14%（SK 海力士），分别提升到 2027 年的 16% 和 22%，2028 年进一步升至 18% 和 25%[1]。

高盛的判断更进一步：HBM 占比提升带来的更稳定的需求、定价与可见度，应支撑两家公司获得更高的估值倍数 [1]。

    第二步：通用 DRAM 已经先把价格涨上去了，HBM 得 「追涨」

供需缺口是 HBM 涨价的底色，但直接触发涨价预期的，是通用 DRAM 相对 HBM 的价格走势。

高盛指出，截至 2026 年二季度，出现了一个反常现象：通用 DRAM 按每 Gb 容量计价，已经超过了 HBM[1]。

技术更复杂的 HBM 反而更便宜？原因在于定价节奏。

根据高盛披露，HBM 通常采用年度固定合约——价格一旦锁定，全年基本不变；通用 DRAM 则采用月度或季度议价，能更快反映市场变化。2025 年下半年到 2026 年上半年通用 DRAM 价格快速上涨时，HBM 被年度锁价机制 「套牢」 了，「跑输」 了通用 DRAM。

高盛预测，通用 DRAM 均价将从 2025 年底的约 0.5—0.6 美元/Gb，升至 2026 年底的约 2.0 美元/Gb[1]。

这个锚点一旦立住，2027 年 HBM 重谈年度合约时，就必须卖得比通用 DRAM 更贵——不仅要修复价格倒挂，还要修复利润率倒挂。

利润率倒挂有多严重？高盛研报显示，2026 年 SK 海力士 HBM 营业利润率 69%，通用 DRAM 反而高达 81%[1]。技术壁垒更高的产品赚得更少，这在商业逻辑上说不通。高盛预计 2027 年两者利润率将收敛至约 80% 对 82% 的更接近水平 [1]。

关键在于，高盛这一预测比 Visible Alpha 市场一致预期 （约 2.3 美元/Gb，SK 海力士口径） 高出约 24%[1]。这 24% 的偏离谁对谁错，正是后文要用产业数据裁决的核心问题。

    第三步：2027 年的涨价由两部分推动

高盛把 2027 年的涨幅拆成了两层，原文是这么说的：

"We expect the like-for-like basis price increase to be roughly 60% for major products, and the remaining growth to come from the mix improvement impact."

翻译过来：主要产品在可比口径 （like-for-like basis） 下的价格涨幅约 60%，其余增长来自产品组合改善 （mix improvement）[1]。

「可比口径」 就是同型号、同规格 HBM 的纯涨价；「产品组合改善」 就是高单价的新代际产品——主要是 HBM4 及后续更高代际——在总出货中占比提升。

用一个简化例子说明 （本文推演，非高盛测算）：如果 HBM4 单价比 HBM3E 更高，当 HBM4 在总出货中的占比从 20% 升到 50%，即便两款产品各自价格不变，混合均价也会因为 「卖得更贵的产品占比更高」 而上涨。

高盛没有单独量化 HBM4 的贡献比例，但结合 SK 海力士二季度业绩解释和公司披露，HBM4 是 「产品组合改善」 的重要载体。

这意味着，2027 年翻倍不是单一产品普涨，而是 「同规格涨价」 加 「更贵的新品占比提升」 共同作用的结果——后者高度依赖 HBM4 的量产进度。

总结一下高盛的三层逻辑链：底层是 HBM 供需缺口扩大 （-5.4%→-6.0%），中层是通用 DRAM 价格已经反超 HBM、正向 2.0 美元/Gb 走去 （2026 年底预测值），表层是 2027 年 HBM 年度合约重谈时必须修复价格与利润率倒挂。

但这条链条能不能兑现，高度取决于 HBM4 能否在 2026 年下半年顺利放量。

关键在于验证：HBM4、库存、长约、竞争与 NAND

上文完成了正向论证：高盛如何构建 2027 年 HBM 混合均价翻倍的预测逻辑。接下来要回答的是：这套预测先从哪里验证，靠什么条件支撑，可能被什么推翻，哪些问题不能混进同一条逻辑。

本章按四个层次递进验证：核心变量→支撑条件→反证检验→边界排除。

先说明验证样本的口径差异：两家公司都披露了二季报，但颗粒度不同。三星只给到 DS 部门层级，没有单独拆分 HBM 收入与利润率；SK 海力士则披露了 HBM4 出货、下半年放量计划与制程进度，高盛研报中的 HBM 利润率 （69% 对 81%） 与库存数据也主要是 SK 海力士口径。因此 「产品组合改善」 这个核心变量，当前可验证的微观样本主要是 SK 海力士；三星一侧的观察点，在 HBM4 放量进度与合约覆盖 （规划产能 60—70% 目标） 的兑现。两条线在以下各节分别对位。

    核心变量验证：HBM4 有没有开始变成收入？

先说 SK 海力士。

按高盛的拆分口径推算，SK 海力士 2027 年 HBM 约 100% 的涨幅中，约 60 个百分点来自同规格产品涨价，其余约 40 个百分点需要 「产品组合改善」 来贡献——HBM4 是其中重要载体 （这是本文按高盛口径的算术推算，高盛并未单独量化 HBM4 的贡献。）。

如果这部分组合改善不能兑现，翻倍逻辑就缺了一大块。

再看已经发生的事实。SK 海力士二季度营收 79.3 万亿韩元 （约合人民币 4125 亿元），营业利润 60.5 万亿韩元 （约合人民币 3150 亿元），基本符合高盛此前预测的 59.1 万亿韩元，但比彭博汇总的市场一致预期 65 万亿韩元低约 7%[1][2]。

公司披露，二季度 DRAM 平均售价环比上涨约 30%（高盛测算为 29%）[2]，低于高盛此前预测的 39%。高盛把落差归因于两点：一是通用 DRAM 开始反映此前与客户锁定的价格，二是 HBM 受限于 「limited mix improvement to HBM4」——HBM4 组合改善有限 [1]。

Q2 已经用实际业绩证明了一件事：产品组合改善不是自动发生的。HBM4 已按计划开始出货，但它对均价与利润的贡献占比还没跟上。

公司给出的时间表是：HBM4 已于二季度开始出货 （began shipment），计划下半年全面爬坡 （full ramp up planned in 2H）；基于 1c nm 制程 （1c nm 即第三代 10 纳米级制程，是当前最先进的 DRAM 量产节点） 的 HBM4E 样品上半年已交付主要客户 [2]。

高盛据此预测，SK 海力士 Q3 DRAM 位元出货量环比增约 10%，整体 DRAM 平均售价环比涨约 19%，对应营业利润约 77 万亿韩元，大体符合市场一致预期 [1]。

但这里有个陷阱。整体 DRAM 均价同时受两个因素拉扯：通用 DRAM 涨价和 HBM 产品组合提升。如果通用 DRAM 涨得多、HBM4 占比没跟上，整体均价仍会涨——所以，整体 DRAM 均价只能算间接或辅助证据，不能单独证明 HBM4 本身在贡献高价。

所以后续观察 SK 海力士 Q3，更为严谨、更具价值的观察顺序应该是：

• 第一，HBM4 出货规模有没有明显跳升；

• 第二，公司会不会首次披露 HBM4 收入占比或 HBM 单独均价——如果 Q3 继续不拆分，「产品组合改善」 就无从验证；

• 第三，才是用整体 DRAM 均价做辅助判断。

如果只看到出货增加，看不到 HBM4 占比或 HBM 均价改善，组合改善的增量逻辑就还悬在半空。

对照来看，三星这边的对应观察点不在财报拆分，而在进度官宣与合约落地。二季报三星已确认 HBM4 放量 （"scaled up HBM4 sales"）、HBM4E 样品交付主要客户——公司口径称 「行业首批」，与 SK 海力士 「上半年已交付 1c nm HBM4E 样品」 存在口径张力，本文不作裁判 [3]。如果三星多年期合约量达到规划产能 60—70% 的目标在年底前后兑现，「组合改善」 在三星一侧同样获得支撑。

    支撑条件验证：库存和 LTA 能否托住供需？

HBM4 回答的是 「能不能涨」。接下来要问的是：涨势能不能维持到 2027 年？

这需要从库存和 LTA 两个维度展开。

子问题一：库存是否健康？

市场近期担心模组厂库存上升。模组厂就是把存储芯片加工成内存条的厂商。高盛承认库存确实在上升，但指出模组厂仅仅只占整体存储市场的个位数百分比，对行业基本面影响有限 [1]。

那么，供应商和核心客户的库存就更值得关注。高盛估算，截至 2026 年二季度末，主要供应商的 DRAM 和 NAND 库存周数在 2—4 周以内，低于约 4—5 周的正常水平，更远低于过去下行周期前常见的 10 周以上水平 [1]。

但这里要打个问号。财报数据显示，SK 海力士库存绝对值已连续两季环比上升——从去年四季度约 14.3 万亿韩元，到今年一季度约 16.0 万亿，再到二季度约 18.0 万亿韩元 [2]。

库存周数看起来 「健康」，部分原因是出货速度加快 （分母变大了），不是库存绝对值在下降 （分子变小了）。一旦 Q3 出货放缓，库存周数会被动恶化。

因此结论就是，虽然行业还没有积累大量待去化存货，由去库存触发价格快速反转的条件还不具备，但这个 「健康」 高度依赖出货速度能否维持——是有条件的，不是无条件的，应当跟踪观察。

子问题二：长约是否真实有效？

LTA（Long-term Agreement，长期供货协议，行业惯称 「长约」），就是把未来几年的采购量、价格机制和付款约束提前写进合同，以期避免供需错配下的盲目扩产或收缩，并实现中长期需求锁定与供应稳定性。

但长约不是只有一种。按高盛披露案例，本轮 LTA 可以整理成四个维度：

最关键的就在于：LTA 不是单一固定的概念，而是多种机制的组合。四个维度各自独立运作——多年期和滚动合约管期限，覆盖率管需求锁定比例，固定价格/价格区间/底价管价格风险分配，预付款和照付不议管执行约束——不能混为一谈。

这些机制共同提高的是需求可见度，不是价格确定性；它们托住的是供需紧张的 「背景条件」，而不是 HBM 能否卖到 2.9 美元/Gb 的直接定价权。

而本轮 LTA 的升级主要在约束维度。高盛研报显示，本轮与历史周期的关键差异在于大额预付款和违约惩罚条款，资金约束确实比历史上更严格——客户违约成本上升，供应商的现金流安全边际扩大。

但约束强度不直接等于定价能力。高盛没有提供上一轮各家合同的同口径条款，因此无法做严格的跨周期对比。从行业历史看，2017–2018 年存储周期顶部同样出现大量长约密集签订，随后需求调整期部分合同面临重新谈判 [4]。道理很简单：供不应求时，预付款和违约条款能有效锁定订单；供过于求时，客户算一笔账——违约金或重谈成本低于继续高价拿货，就有动力重谈、延期甚至接受违约金。

所以当前只能确认：本轮 LTA 在资金约束层面比历史上更强，但不能据此推断 LTA 已经让存储行业的周期规律失效。LTA 是供需紧张的支撑条件，不是涨价发动机，应当跟踪观察。

    反证检验：高盛的判断最可能错在哪里？

库存和 LTA 提供的是支撑条件，不是保证。以下从外部冲击和内部失效两个维度展开直接的反证检验。

前两类风险 （需求端、竞争者） 依据高盛自述的风险清单 （Key Risks） 展开，后两类 （供给端、执行风险） 是本文基于产业逻辑的追加推演。

外部冲击一：需求端——AI 资本开支增速放缓。

高盛把 「低于预期的 AI 相关资本开支」 列为 SK 海力士关键风险之一，但同时认为这些风险不足以推翻其判断——高盛在 SK 海力士投资论点中预计，2026 年将展开 「最强的存储上行周期之一」（"one of the strongest memory upcycles"）[1]。SK 海力士官方给出的图景同样乐观：主要大型科技客户正在扩大基础设施投资与存储采购 （"Major Big Tech customers expanding infrastructure investments and memory procurement"）[2]。

但需求侧的可持续性本身正受到市场质疑。云厂商的 AI 投资高度依赖资本开支，一旦资本开支收缩，HBM 需求增速和供应商的合约谈判能力都会受影响。

重点不在于反驳高盛，而是要把高盛风险清单里的抽象表述落到可跟踪的变量上——Q3 云厂商的资本开支指引，一直是需求端最该盯的信号。比如，当英伟达开调整 Rubin Ultra 显存规格，表面看是供应不足，换个角度看也说明：当 GPU 厂商开始调整配置适配内存供应，需求端也在根据供给做动态调整，而不是无限刚性的 [5]。

外部冲击二：竞争者——三星追赶超预期。

高盛把 「三星 HBM 进展快于预期」 明确列为 SK 海力士的关键风险之一 （Key Risks 第 3 条）[1]。

这不是假设，是正在兑现的事实。三星已在二季报中官宣 HBM4 放量、HBM4E 样品交付主要客户 [3]。高盛同时披露，三星已完成与全球前五大数据中心客户的合约签订，并正与另外五家 AI 需求相关的大型客户推进最终谈判，合约落地后多年期合约量预计达其规划产能的 60—70%[1]。

对 SK 海力士来说，这是对其定价权的直接挤压；对两家公司共同而言，任何一方放量快于预期，HBM 价格重估的空间都会被摊薄。

内部失效一：供给端——良率突破带来供给超预期。

除了外部风险，供给侧也存在潜在风险：如果全行业 HBM4 良率超预期提升，整体供给增长快于需求，供需缺口就可能提前收敛。

这里看的不只是 SK 海力士一家，还包括其他竞争者的产能与良率进度。市场通常把供给不足当利好，但如果供给增长快于预期，缺口收敛会反过来压制价格——这是高盛研报中未充分展开的供给侧风险。

内部失效二：执行风险——合同到现金的转化不及预期。

长约签了不等于钱到手了。如果 LTA 实际覆盖的 HBM 比例不高，或者预付款没有带来真实采购，需求可见度就会停留在合同层面；如果供应商和客户库存重新累积，价格反转的条件也会增强。

验证路径在于，追踪 SK 海力士 Q3 财报中 「Contract Liabilities」（合同负债） 科目是否持续增长——但也需注意，合同负债增长仅反映预付款或履约约束增强，不等同于 LTA 已覆盖 HBM 的真实采购比例，也不能单独确证需求已转化为收入。同时观察主要客户是否出现订单修正或延期交付的信号。

这是从 「合同层面」 到 「现金层面」 的穿透验证。

    边界排除：NAND 会否及如何影响主线判断？

前三步讨论的是直接影响 HBM 主线的验证、支撑和反证。最后需要单独指出，NAND 属于另一个层级——它不直接决定 HBM 价格，但可能间接干扰主线叙事，需酌情独立分析。

NAND 与 DRAM/HBM 是两条独立的价格曲线，不能混为一谈。

技术上，NAND 是闪存 （Flash Memory），与 DRAM/HBM 的读写机制完全不同——断电后数据不会丢失，主要用于手机存储、固态硬盘 （SSD） 等场景。企业级 SSD（eSSD） 是云厂商和数据中心使用的高性能固态硬盘。

高盛预计，企业级 SSD 需求将从 2026 年的 474EB 增长到 2027 年的 619EB（EB，Exabyte，1EB 约等于 10 亿 GB），因此认为 2027 年 NAND 供需缺口会扩大 [1]。TrendForce 则预计，随着新增产能投产、消费电子需求持续疲软，NAND 将在 2027 年下半年转向更宽松的供给环境 [6]。

高盛还提醒，近期 NAND 即期价格走弱主要集中在 TLC 512Gb 这一个规格；该产品过去一年涨了接近 600%，当前回落更像前期大涨后的修正，不能代表所有 NAND 产品反转 [1]。

这些分歧都在说明，DRAM/HBM 与 NAND 不能共用同一条价格曲线：前者主要看 AI 服务器、产品代际和客户认证，后者还要看手机、PC 等消费需求能否恢复。

对 HBM 主线来说，NAND 是 「背景噪音」——它可能分散市场对 HBM 供需的注意力，但不直接改变 HBM 的定价逻辑。唯一需警惕的是：如果 NAND 价格因供给宽松而深度下跌，可能引发市场对 「整个存储行业」 的恐慌性抛售，间接压低 HBM 估值。这属于情绪传导，并非基本面逻辑传导。

持续跟踪，快速修正

把前面的分析收拢，可以按四个问题逐项核对。

回到核心问题。高盛这份研报中最值得提取的判断是：通用 DRAM 已率先建立更高的单位容量价格锚点，HBM 供需仍然偏紧，因此 2027 年 HBM 年度合约存在显著重估空间 [1]。

然而，这一判断要兑现，必须完成三道递进验证及注意一层边界排除：

验证Ⅰ（代际升级）：HBM4 及更高代际产品能否实质性改善混合均价——看 HBM4 收入占比是否提升；

验证Ⅱ（锚点站稳）：通用 DRAM 价格锚点能否在需求波动中站稳——看合约价是否向 2.0 美元/Gb 靠拢；

验证Ⅲ（合约重谈）：同规格 HBM 合约能否在 2026 年底前后获得溢价重谈空间——看云厂商 capex 和竞争者进度是否支撑议价权。

边界排除：NAND 走势是否会干扰存储主线的叙事——防止把不同产品的价格信号混为一谈。

Q3 经营数据只会提供第一批方向性证据，不会给出终局答案。即便 HBM4 收入占比提升、库存保持健康、LTA 持续签订，也只能确认 「2027 年翻倍」 的必要条件正在满足，而非充分条件已齐备——验证是一个动态过程，不是一次性事件。

如果这套判断被推翻，路径未必是 AI 需求突然消失——从行业周期的历史经验看 （本文判断），存储周期的顶部很少由需求 「断崖式」 崩塌触发，更多由供给加速、竞争放量与资本开支收缩的组合压垮——更具体地说，风险路径更可能是：AI 资本开支低于预期→云厂商议价能力增强→HBM 合约重谈空间收窄；同时全行业 HBM4 良率超预期提升→供需缺口提前收敛；叠加竞争者放量快于预期——对 SK 海力士而言主要是三星 （高盛风险清单点名），对两家共同的是全行业 HBM4 供给加速→定价权被稀释。这三条路径并非独立，而是可能相互强化。

因此，比一次性预测更有价值的，是建立动态跟踪的反馈机制。Q3 的真正意义在于：它为 「2027 年 HBM 混合均价接近翻倍」 这一远期判断提供了第一批可证伪的基准数据。如果 Q3 数据显示 HBM4 收入占比停滞、库存周数被动拉长、云厂商 capex 指引下调，「翻倍」 逻辑的置信度就应主动下调；反过来，如果四层验证逐层兑现，逻辑链条的坚固性就获得阶段性确认。

最终，比预测更重要的可能还是修正预测的速度——在存储这种高周期、高资本开支、高技术不确定性的产业中，没有人能在 2026 年 8 月准确预测 2027 年的终局。但可以做到的，是在 8 月建立一套跟踪框架，确保当证据发生变化时，认知能随之调整——而不是被沉没成本锁在初始判断中。

在 Q3 数据出炉之前，正可以借此建立起框架的第一块基石。

    参考资料

[1] Lee G, Lee T, Takayama D. Addressing 8 key questions on memory including HBM pricing, LTA, inventory, China DRAM, and ADR; reiterate Buy on Samsung (on CL) and SK Hynix[R/OL]. Goldman Sachs Global Investment Research, 2026:1-21(2026-08-04)[2026-08-07].

[2] SK hynix. SK hynix Announces 2Q26 Financial Results[EB/OL]. (2026-07-29)[2026-08-07].

[3] Samsung Electronics. Samsung Electronics Announces Second Quarter 2026 Results[EB/OL]. (2026-07-30)[2026-08-07].

[4a] Kim S Y, Song J M. 수익 안정성 높이는 메모리칩 5년 계약…AI수요 꺾일 땐 변수로[EB/OL]. (2026-08-04)[2026-08-07].

[4b] Samsung Electronics. Samsung Electronics Announces Fourth Quarter and FY 2018 Results[EB/OL]. (2019-01-31)[2026-08-07].

[4c] SK hynix. SK hynix Inc. Reports Fiscal Year 2018 and Fourth Quarter Results[EB/OL]. (2019-01-24)[2026-08-07].

[4d] SK hynix. SK hynix Inc. Reports First Quarter 2019 Results[EB/OL]. (2019-04-25)[2026-08-07].

[5] TrendForce. DRAM Supply to Remain Tight in 2027, Prompting NVIDIA to Lower HBM Configurations for Rubin Ultra, Says TrendForce[EB/OL]. (2026-08-04)[2026-08-07].

[6] TrendForce. Diverging Memory Market Outlook in 2027 as DRAM Supply Remains Tight While NAND Flash Supply Conditions Ease, Says TrendForce[EB/OL]. (2026-07-30)[2026-08-07].