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HBM 的战争:SK 海力士登顶韩国梦中情企背后,AI 上游正在发生什么

2026 年 7 月 29 日
在 商业
阅读时间: 2 mins read
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(本文作者为 舒书,钛媒体经授权发布)

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2026 年 7 月 29 日

文 | 舒书

2026 年 7 月 27 日,韩国就业门户网站 Incruit 发布最新调查:SK 海力士以 14.2% 的得票率,连续第二年蝉联韩国大学生最想就职的企业榜首。三星电子 8.0% 位列第二。

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这是韩国就业市场求职偏好近十年最大的一次位移。2020 年,大学生最想去的是 Kakao 和 Naver,那是互联网平台的高光时刻;2023 年,三星电子上调应届生起薪夺回榜首;2025 年,SK 海力士一年跃升 8 位,首次登顶。从互联网到三星再到 SK 海力士,每一次榜首更替都对应着一个产业的周期轮动。

SK 海力士登顶背后,是 AI 上游供应链正在发生的一场地壳运动。

一、HBM 如何改写了存储产业的价值分配

SK 海力士的崛起,核心驱动力是一项名为 HBM(高带宽存储器) 的技术。通俗地说,HBM 将多个 DRAM 芯片垂直堆叠,通过 TSV(硅通孔) 技术实现芯片间的高速互联,为 AI 加速器提供超高带宽的数据通道。HBM4 面向超大规模 AI 训练集群,普通 DRAM 则服务 PC、通用服务器,二者工艺、客户场景完全分割。

2026 年第一季度,SK 海力士营收 52.58 万亿韩元 (约合人民币 2600 亿元),同比增长 198%;主营营业利润 37.61 万亿韩元,同比增长 405%,主业营业利润率 72%,创下公司成立以来最高纪录。当期账面净利润达 40.35 万亿韩元、对应账面净利润率 77%,差额主要来自约 10 万亿韩元铠侠股权公允价值增值、汇兑收益等一次性非经营性收益;剔除全部一次性收益后,核心经营净利润率约 57%,依旧处于全球半导体行业顶级水平。

据 IDC 数据,SK 海力士控制全球 HBM 市场约 56% 的营收份额。Counterpoint 预测,2026 年 SK 海力士将占据 HBM4 市场 54% 的份额。英伟达已将其下一代 Vera Rubin AI 平台今年所需 HBM4 需求的约 70% 分配给 SK 海力士。双方达成 2026-2030 年长期战略合作,涵盖 HBM 供应、技术联合研发、AI 算力基建配套等多维度布局,锁定长期产能供给。

截至 2026 年一季度,三大原厂 HBM 产能已全部售罄。

但这场竞赛远未结束。据 TrendForce 数据,2026 年 Q1 三星 DRAM 市占 38.5% 排名第一,SK 海力士 28.8% 位列第二,美光 22.4% 位居第三。HBM 细分市场中,SK 海力士以约 58% 份额领先,美光约 23%,三星约 21%。三大原厂的产能竞赛,远未分出胜负。

这场围绕 HBM 的竞赛,本质是三重商业博弈交织:一是高端 AI 算力客户的长期产能争夺;二是三星、SK 海力士、美光三大原厂的技术迭代与份额竞赛;三是高端 HBM 产能挤压通用 DRAM 带来的产业链利润重新分配。

二、产能重新分配:AI 的盛宴如何变成全行业的通胀

HBM 的高毛利正在重塑整个 DRAM 产业的产能结构。HBM 消耗的晶圆面积和洁净室空间至少是普通 DRAM 的三倍。三大原厂已将约 70% 的新增产能向 HBM 倾斜,但 HBM 产能缺口仍达 50% 至 60%。每多生产一片 HBM 晶圆,就意味着消费级 DRAM 的供应量少了一份。

本轮内存涨价呈现清晰分层:消费级 DDR5 PC 内存一年内涨幅超 5 倍;企业服务器专用 DDR5 内存涨价幅度更夸张,单条 256G 规格市场价突破 4 万元;2026 年第一季度 DRAM 合约价环比涨幅高达 93%-98%。此轮涨价与过往周期核心区别在于,需求并非来自消费电子复苏,而是 AI 算力抢占存储产能带来的结构性供需错配。

涨价背后是多重因素的叠加:AI 服务器需求爆发、原厂主动将产能转向 HBM、下游渠道囤货。戴尔 CEO 指出,企业部署 AI 应用正带动内存需求爆炸式增长;特斯拉 CEO 马斯克此前也提及企业面临算力配套相关的芯片供给约束。

值得注意的是,HBM 最终出货还依赖先进封装产能 (如台积电 CoWoS 等) 的配套支撑。即便存储原厂晶圆产能充裕,若封装端产能吃紧,HBM 实际出货量同样无法匹配高涨的 AI 需求—— 这是当前 HBM 供应链中另一道尚未完全疏通的瓶颈。

三、长鑫科技与两条叙事线

全球三大存储原厂持续倾斜晶圆、洁净室资源投产高毛利 HBM,挤压通用 DRAM 有效供给,催生本轮全产业链内存涨价行情;这一轮由 AI 算力驱动的存储上行周期,也同步催生中韩存储行业两套完全不同的资本市场与产业叙事。

就在 SK 海力士登顶韩国求职榜的同一天,中国 DRAM 厂商长鑫科技登陆 A 股科创板,上市首日收涨 465.82%,总市值 3.28 万亿元,超越工商银行登上 A 股市值榜首。

根据 Counterpoint 数据,2026 年 Q1 长鑫科技在全球 DRAM 市场份额已增至 8%,位居全球第四、中国第一。

两条叙事线在 AI 驱动存储周期这个母题下交汇,但逻辑截然不同:

SK 海力士线:HBM 技术壁垒→ 全球 AI 算力供应链核心供应商→ 利润与人才虹吸。其价值来自全球 AI 算力赛道稀缺工艺产能带来的技术壁垒溢价。

长鑫线:通用 DRAM 涨价红利→ 国产替代资本叙事→A 股估值溢价。其市值来自资本市场对“ 本土存储唯一选项” 的押注。

据招股书数据,长鑫科技 2026 年 Q1 营收 508 亿元、归母净利润 247.62 亿元,综合毛利率 79.16%。但需理解这一数据的周期性质:2023 年 DRAM 低谷期,长鑫综合毛利率为负值;随着 DRAM 价格暴涨,毛利率以“ 重资产× 强周期” 的杠杆斜率弹升至 79%。海外三大存储厂商通用 DRAM 常态毛利率仅 20%-35%,这一高盈利水平并非长鑫的结构性常态,而是周期顶部的极端值。一旦 2027-2028 年三大原厂 HBM 产能释放、通用 DRAM 价格回落,长鑫的盈利和估值都将面临考验。

HBM 涉及 TSV 堆叠、混合键合、多层晶圆互联等成套工艺平台,与通用 DRAM 属于两套完全不同的制造体系,跨代追赶需要长期工艺积累。

四、全球资本市场的重新定价

长鑫上市引发的连锁反应,远不止 A 股。

上市次日,明晟公司 (MSCI) 便发布公告将长鑫科技纳入 MSCI 中国全股票指数,8 月 10 日正式生效。从登陆 A 股到纳入全球指数,仅间隔一个交易日—— 资本市场对国产存储的叙事,已从“ 国产替代” 升级为“ 全球资产配置”。

与此同时,冲击波跨越了太平洋。7 月 27 日美股盘中,存储芯片股集体重挫:SK 海力士 ADR 盘中一度跌约 10%,跌破 149 美元 IPO 发行价,收跌 7.47%,自 7 月 10 日赴美上市以来首次收盘跌破发行价;Sandisk 短期股价大幅回撤,一个月内市值缩水明显;费城半导体指数盘中一度跌近 5%。

7 月 27 日美股存储板块集体重挫并非单一因素驱动,而是多重情绪共振的结果:板块前期涨幅过高积累获利盘、AI 远期需求预期出现分歧、长鑫上市带来中长期供给竞争担忧。市场担忧的并非长鑫短期业绩,而是其获得充裕资本后扩产与技术研发提速,长期重塑全球 DRAM 供给格局。

五、人才流向的产业信号

资本市场用估值投票存储产业景气度,人才市场则用择业选择给出最朴素的产业判断。

57% 的受访韩国大学生选择 SK 海力士的首要原因是“ 满意的薪资与福利制度”。据韩国媒体报道,SK 海力士 HBM 工程师的薪资已全面超越传统高薪行业。5 年前韩国顶尖理工科学生放弃芯片、投身医学的现象曾是媒体头号焦虑;如今,半导体工程师重新成为第一选择。

韩国存储产业经过十余年持续的产能、工艺配套积累,形成成熟的晶圆制造与先进封装产业集群,支撑头部厂商快速落地 HBM 大规模产线,从而持续虹吸顶尖人才。

而在中国,同样的信号正在发生。据教育部数据,2026 年全国高校集成电路相关专业本科招生较五年前增长超 150%,“ 芯片设计”“ 半导体工艺” 成为工科志愿热门选项。国内头部存储、制造企业为应届硕士开出的年薪已达 35 万至 60 万元区间,与互联网大厂持平甚至略高。

人才流向,从来都是产业景气度最诚实的信号。

六、周期不会缺席

存储芯片行业从不缺周期。2017 年存储牛市、2019 年寒冬、2023 年低谷—— 每一次高利润都伴随着随后的产能释放和价格回落。

瑞银预计,2026 年 HBM 需求将同比增长 90%,2027 年再增长 77%。2026 年 HBM 市场规模预计达 546 亿美元,但 2027-2028 年,三大原厂大规模 HBM 新产能将集中释放,供需缺口预计逐步收窄。同时,若全球 AI 企业资本开支放缓、算力采购需求不及预期,存储价格回调幅度或将超过此前行业低谷—— 压力来自供给放量与需求降温的双向夹击。

SK 海力士即将于 7 月 29 日公布 Q2 财报。据 FnGuide 汇总的 14 家证券公司一致预期,Q2 营收预计达 84.06 万亿韩元,营业利润约 64.09 万亿韩元,营业利润率预计在 75%-77% 之间,再创历史新高。但市场也在关注:在三星 HBM4 加速追赶、美光扩产的背景下,75% 以上的利润率能否维持?SK 海力士股价近期已从高点回撤约 45%,资本市场正在重新审视存储超级周期的可持续性。

对长鑫科技而言,上市完成了资本层面的成人礼,真正的考验在于:能否在 HBM 产能释放、通用 DRAM 价格回落之前,完成从通用 DRAM 到 HBM 的技术跨越?被纳入 MSCI 只是资本市场的第一步,国际机构投资者将审视其 HBM 技术路线图的可执行性、周期顶部的盈利持续性,以及先进封装工艺的突破进度。

短期来看,稀缺 HBM 产能仍将持续支撑海外存储企业的利润与人才吸引力;2027-2028 年产能释放将逐步抹平行业超额收益,半导体人才薪资热度也将随盈利周期同步调整;长期竞争的分水岭落在 HBM 成套工艺平台的持续迭代能力上,这是国内存储企业需要跨越的核心门槛。

当稀缺变成过剩,新玩家能否从追赶者变为竞争者?存储行业的周期从未终结,只是每一轮都会诞生新的赢家。

数据来源:

企业财报/官方公告:SK 海力士季度财报、长鑫科技招股书、MSCI 指数调整公告

第三方调研机构:IDC(HBM 市场份额)、Counterpoint(DRAM 市场份额)、TrendForce(DRAM 市占率)

财经媒体:华尔街见闻、财联社、北京商报、中国基金报、36 氪、东方财富、新浪财经等 2026 年 7 月公开报道

教育/就业平台: Incruit 2026 年 7 月 27 日发布、教育部招生数据

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