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《科创板日报》4 月 1 日讯 （记者 郭辉） 中微公司今日 （4 月 1 日） 在临港产业化基地举行 2025 年度业绩说明会。
中微公司董事长尹志尧表示，面对行业发展的新机遇与外部环境的新挑战，中微公司始终站在先进制程工艺发展的最前沿，绝不抄袭和复制国外的标配设备，一直坚持 「技术的创新」，「产品的差异化」 和 「知识产权保护」 三项基本原则。中微公司坚持有机生长和外延扩展相结合的策略。产品覆盖度持续提升，正稳步迈入多样化、平台化和规模化的发展新阶段。
截至目前，中微公司已有 37 种成熟设备于生产线实现量产，并获得批量订单。具体来看，包括高能等离子体 CCP 刻蚀机、低能等离子体 ICP 刻蚀机、各类薄膜设备、宽禁带半导体 MOCVD 设备。
据介绍，过去 14 年，中微公司设备已应用于全球 170 多个客户的芯片及 LED 生产线，实现量产的机台累计装机数达到 8000 台。14 年中，在线积累台数的年增长率始终保持在 37% 以上，年销售增长率保持在 35% 以上。
尹志尧表示，近五年占公司销售 75% 以上的等离子刻蚀设备，保持了超过 51% 的增长速度。「这是半导体产业史绝无仅有的增长速度。我们希望未来 5 到 10 年依然保持高速增长。」
据中微公司最新发布的财报，2025 年全年实现营业收入 123.85 亿元，同比增长 36.62%，经营业绩创下历史新高；归属于母公司所有者的净利润约 21.11 亿元，较上年增加约 4.96 亿元，同比增长约 30.69%。
中微公司 2025 年研发投入占年销售额的比例达到 30.2%。
尹志尧表示，之所以保持高研发投入，一方面是因为公司研发能力大幅提升。据介绍，过去开发一款新设备可能需要三到五年甚至七年，现在一般只需 18-20 个月就能完成。在近两年，中微公司每年同时推 20 余种新设备的研发，研发任务饱满。另一方面，从市场发展趋势来看，客户对高端设备的需求日益迫切，要求其设备不仅能匹配国际先进水平，更要实现超越，「这也促使我们必须加大研发投入，以支撑公司的高速增长」。
中微公司目前已覆盖 300 种不同的等离子刻蚀应用，其中 CCP 刻蚀机对应 108 种，ICP 刻蚀机对应 192 种。
据尹志尧介绍，刻蚀工艺必须做到 「量身定制」。中微公司已开发出近 300 种不同的刻蚀应用，几乎覆盖了所有半导体刻蚀应用场景。目前该公司 CCP 刻蚀机 95% 以上的应用、ICP 刻蚀机 99% 以上的应用，已形成大规模生产数据支撑或通过客户验证。
尹志尧表示，2025 年中微公司的薄膜设备销售迎来爆发式增长，营收同比大幅增长约 224.23%，成为该公司业绩增长的重要新引擎。
薄膜设备方面，中微公司已全面布局，在以半导体薄膜为主的薄膜设备领域，中微公司已启动 40 多种设备的研发。截至 2025 年，已成功开发出钨系列薄膜沉积设备、ALD 氮化钛、ALD 钛铝、ALD 氮化钽等产品，以及钼金属沉积设备等。「2026 年，我们还将开发更多薄膜设备，预计再过两年，40 多种薄膜设备将基本全部落地。」
据介绍，目前薄膜设备的全球市场规模与刻蚀设备相当，约 250 亿至 270 亿美元。
WSTS 的最新数据显示，预计 2026 年半导体芯片销售额将强势增长至 9750 亿美元，相比去年同期增长 23%。而全球晶圆厂设备的销售额预计将超过 1300 亿美元，将创历史新高。而中国以 463 亿美元的规模，有望继续成为全球最大的集成电路前道设备市场，占全球前道市场的 38%。
在业绩会上，尹志尧表示，随着中微公司在广州和成都研发及生产基地建设的相继启动，中微公司未来厂房总面积将达到 85 万平方米，将进一步增强产品研发与高端设备制造能力，全面深化在半导体及泛半导体产业链的战略布局。
按照规划，未来上海临港基地将主要用于研发以及新产品的生产，南昌将主要用于成熟的刻蚀机和 MOCVD 生产，成都将主要用于 CVD 新品以及其他新产品的生产，广州主要用于大平板设备生产。
尹志尧表示，届时中微公司在全国各基地的产值总和将达到 700 亿元人民币的水平。「希望到 2035 年能够满足公司下游市场需求，同时在规模、产品竞争力、客户满意度方面，成为全球第一梯队的半导体设备公司。」
