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财联社 2 月 12 日讯 （编辑 周子意）三星电子公司周四 （2 月 12 日） 表示，已开始向客户交付其最新款高带宽存储芯片 HBM4。这家韩国芯片制造商正试图在关键半导体竞赛中赶超竞争对手，这是一次关键突破。
三星电子表示，它是首家能够大规模生产并交付 HBM4 芯片的公司。
至于下一代 HBM4E，其样品预计将于 2026 年下半年开始提供，而定制版 HBM4E 样品将于 2027 年开始交付给客户。
三星执行副总裁兼存储器开发部门负责人 Sang Joon Hwang 表示，「三星未沿用传统的成熟设计，而是大胆采用了最先进的制程工艺」。
性能大幅超越
三星电子的 HBM4 在性能上实现了对行业标准的大幅超越，已超出行业标准机构联合电子设备工程委员会 （JEDEC） 设定的标准，被选入用于英伟达下一代人工智能平台。
其 HBM4 芯片使用其 1c 工艺 （第六代 10 纳米级 DRAM 技术） 制造 DRAM 单元芯片，同时使用 4 纳米工艺制造基板芯片。
基于这些技术，三星的 HBM4 芯片实现了高达每秒 11.7 Gbps 的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会规定的 8 Gbps 标准。
据此前报道，英伟达预计将在即将举行的 GTC 2026 大会上展示其下一代搭载三星 HBM4 的人工智能计算平台 Vera Rubin。该大会定于 3 月 16 日至 19 日举行。
三星此次量产时间的落地，使三星在与 SK 海力士等竞争对手的角逐中占得先机。不过，也有业内消息人士称，SK 海力士可能会提供更大的供应量，因为人们普遍认为其生产稳定性更高。
也有人提出质疑该公司在产量提升时如何确保生产良率，但三星电子首席技术官 Song Jai-hyuk 对此表示有信心，「很难用数字来描述 （良率），但我可以说现状非常好，」 他还补充道，客户对芯片的性能 「非常满意」。
