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消息称三星电子将增加 DRAM 产能 以满足 AI 领域强劲需求

2025 年 11 月 21 日
在 世界
阅读时间: 1 min read
阅读:120406
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【天顺财经】11 月 21 日消息,据外媒报道,本周早些时候有市场研究机构发布的报告显示,在高带宽存储器出货量增加和通用 DRAM 产品价格上涨的推动下,三星电子 DRAM 的销售额,在三季度超过了 SK 海力士,时隔两个季度重回榜首。

而从外媒最新的报道来看,在 AI 领域需求强劲和通用 DRAM 价格上涨的有利形势下,三星电子有意扩大 DRAM 的产能。

外媒在报道中提到,全球人工智能基础设施投资扩大,导致对 DRAM 的需求激增,为了应对这一领域的强劲需求,三星电子决定减少部分 NAND 闪存产能,增加 DRAM 产能。

对于调整的产能,外媒提到是在平泽和华城的园区,平泽园区的 1 号工厂、3 号工厂和华城园区的工厂,是混合生产线,DRAM 和 NAND 闪存目前都有生产,三星电子将减少平泽园区 1 号工厂和华城园区 NAND 闪存的产能,增加 DRAM 的产能。

此外,外媒在报道中还提到,三星电子计划在平泽园区建设 4 号工厂,专门用于生产 DRAM,采用最新的制程工艺,以扩大利润率。(海蓝)

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【天顺财经】11 月 21 日消息,据外媒报道,本周早些时候有市场研究机构发布的报告显示,在高带宽存储器出货量增加和通用 DRAM 产品价格上涨的推动下,三星电子 DRAM 的销售额,在三季度超过了 SK 海力士,时隔两个季度重回榜首。

而从外媒最新的报道来看,在 AI 领域需求强劲和通用 DRAM 价格上涨的有利形势下,三星电子有意扩大 DRAM 的产能。

外媒在报道中提到,全球人工智能基础设施投资扩大,导致对 DRAM 的需求激增,为了应对这一领域的强劲需求,三星电子决定减少部分 NAND 闪存产能,增加 DRAM 产能。

对于调整的产能,外媒提到是在平泽和华城的园区,平泽园区的 1 号工厂、3 号工厂和华城园区的工厂,是混合生产线,DRAM 和 NAND 闪存目前都有生产,三星电子将减少平泽园区 1 号工厂和华城园区 NAND 闪存的产能,增加 DRAM 的产能。

此外,外媒在报道中还提到,三星电子计划在平泽园区建设 4 号工厂,专门用于生产 DRAM,采用最新的制程工艺,以扩大利润率。(海蓝)

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【天顺财经】11 月 21 日消息,据外媒报道,本周早些时候有市场研究机构发布的报告显示,在高带宽存储器出货量增加和通用 DRAM 产品价格上涨的推动下,三星电子 DRAM 的销售额,在三季度超过了 SK 海力士,时隔两个季度重回榜首。

而从外媒最新的报道来看,在 AI 领域需求强劲和通用 DRAM 价格上涨的有利形势下,三星电子有意扩大 DRAM 的产能。

外媒在报道中提到,全球人工智能基础设施投资扩大,导致对 DRAM 的需求激增,为了应对这一领域的强劲需求,三星电子决定减少部分 NAND 闪存产能,增加 DRAM 产能。

对于调整的产能,外媒提到是在平泽和华城的园区,平泽园区的 1 号工厂、3 号工厂和华城园区的工厂,是混合生产线,DRAM 和 NAND 闪存目前都有生产,三星电子将减少平泽园区 1 号工厂和华城园区 NAND 闪存的产能,增加 DRAM 的产能。

此外,外媒在报道中还提到,三星电子计划在平泽园区建设 4 号工厂,专门用于生产 DRAM,采用最新的制程工艺,以扩大利润率。(海蓝)

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【天顺财经】11 月 21 日消息,据外媒报道,本周早些时候有市场研究机构发布的报告显示,在高带宽存储器出货量增加和通用 DRAM 产品价格上涨的推动下,三星电子 DRAM 的销售额,在三季度超过了 SK 海力士,时隔两个季度重回榜首。

而从外媒最新的报道来看,在 AI 领域需求强劲和通用 DRAM 价格上涨的有利形势下,三星电子有意扩大 DRAM 的产能。

外媒在报道中提到,全球人工智能基础设施投资扩大,导致对 DRAM 的需求激增,为了应对这一领域的强劲需求,三星电子决定减少部分 NAND 闪存产能,增加 DRAM 产能。

对于调整的产能,外媒提到是在平泽和华城的园区,平泽园区的 1 号工厂、3 号工厂和华城园区的工厂,是混合生产线,DRAM 和 NAND 闪存目前都有生产,三星电子将减少平泽园区 1 号工厂和华城园区 NAND 闪存的产能,增加 DRAM 的产能。

此外,外媒在报道中还提到,三星电子计划在平泽园区建设 4 号工厂,专门用于生产 DRAM,采用最新的制程工艺,以扩大利润率。(海蓝)

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