《科创板日报》5 月 6 日讯 据 ZDNet 报道，服务器 DRAM 模块的最新一代标准 「MRDIMM」 已经进入最后开发阶段，联合电子设备工程委员会 （JEDEC） 的成员包括三星电子、SK 海力士和美光等主要存储器公司正在积极开发 MRDIMM 产品，以满足未来不断增长的需求。
有别于 HBM 与 GPU 集成，MRDIMM 将用作 CPU 直接访问的主内存。作为新一代服务器 DRAM 模块，其专为人工智能和高性能计算 （HPC） 任务而优化， 能够同时运行两个内存通道，因此可提供更快的数据处理速度。
资料显示，相较于标准 DDR5 RDIMM，第一子代 MRDIMM 可达到 8800MT/s 的数据传输速率，峰值带宽提高近 40%，缓解了现代处理器核心数量提升带来的每核心内存带宽下降问题。
由于 MRDIMM 是内存行业的最新技术，因此尚未标准化或商业化，而仅只有少数型号的 CPU 支持 MRDIMM，如英特尔的 「至强 6」。联想技术产品指南则强调，采用下一代 CPU 的服务器设计人员越来越多地转向使用 MRDIMM 来缓解日益严重的内存带宽瓶颈。
值得一提的是，美国内存巨头美光早在 2024 年即开始提供 MRDIMM 样品，其技术基于 DDR5 物理和电气标准，在内存性能方面实现了重大进步。
广发证券认为，随着 CPU 配比不断提升，X86-CPU 配置的内存形态有望从传统 RDIMM 逐步向 MRDIMM 方案演进，需引入更复杂的接口芯片，推动配套芯片 ASP 提升。插满率提升叠加 MRDIMM 渗透，共同打开内存条与接口芯片空间。
财通证券指出，MRDIMM 核心增量为 MRCD 和 MDB 芯片。在 DDR5 世代，MRDIMM 内存条采用 「1+10」 架构，即配置 1 颗寄存时钟驱动器 MRCD 以及 10 颗数据缓冲器 MDB。MRDIMM 已适配英特尔第六代 CPU，同时，内存厂商美光、SK 海力士、威刚均已推出 MRDIMM 的新颖产品，仍有较大渗透空间。
该机构表示，假设 2030 年 MRDIMM 在悲观、中性、乐观假设下的渗透率分别为 30%/50%/65%，MRCD 的需求量有望分别为 2.74/4.56/5.93 亿个，MDB 的需求量有望分别为 27.36/45.60/59.28 亿个。随着英特尔第六代 CPU、MRDIMM 技术持续渗透，有望持续拉动 MRCD 和 MDB 的需求量。
