《科创板日报》3 月 1 日讯 随着英伟达 Vera Rubin 出货节点日益临近，存储巨头围绕 HBM4 市场份额的霸权争夺战已然打响。
三星率先亮出底牌。据 ZDNet Korea 近日报道，三星电子决定增大其第六代 10nm 级 DRAM 芯片的尺寸，从而同时提升 DRAM 和 HBM4 的性能。据悉，芯片尺寸的扩大能保证 TSV（硅通孔） 工艺的稳定性，HBM4 由于 I/O 数量增加，需要在 DRAM 中设置更多的 TSV 孔。
当三星的 DRAM 拥有更大的可用面积，TSV 布局方面即可获得更大的灵活性，如降低了 TSV 密度，便于散热并确保可靠性。
问题在于，增大 DRAM 尺寸或意味着利润缩水——因将减少每片晶圆可生产的芯片数量。此外，三星电子在 HBM4 核心芯片中采用了领先竞争对手一代的 1c DRAM 技术，然而 1c DRAM 的良率仍然只有 60% 左右，其正集中精力提高良率，同时抢先为英伟达大规模生产 HBM4。
不过，三星对其尖端工艺充满信心，其在日前举行的 HBM4 量产启动仪式上宣称：「从 HBM4 开发之初，我们就设定了超越 JEDEC（联合电子设备工程委员会） 标准的性能目标」，并且 「从量产之初，我们就确保了稳定的良率和行业领先的性能，而无需重新设计。」
资料显示，JEDEC 最初仅将 HBM4 的性能标准设定为 8 Gbps，但内存供应商最近将其提高到 11.7 Gbps，并与英伟达一起进行了测试。
横向对比来看，针对 HBM 控制器的基础芯片，三星采用自家晶圆代工厂的 4nm 工艺进行量产，相比 SK 海力士采用台积电工艺的 12nm 工艺有了显著提升。此外，SK 海力士和美光在其 HBM4 芯片中使用了与 HBM3E 相同的 1b DRAM 芯片。
在 HBM4 销售上，三星已取得些许优势。根据市场调查机构 Omdia 的报告，三星电子 2025 年第四季 DRAM 市占率达 36.6%，SK 海力士以 32.9% 屈居第二，主要得益于三星第六代高带宽內存 HBM4 的销售增长。
另一方面，SK 海力士在量产进度上进行追赶。据此前报道，SK 海力士将其位于清州的 「HBM4 专用工厂」M15X 工厂的量产计划提前了四个月，于本月开始量产用于 HBM4 的 1b DRAM 晶圆。该工厂初期规划约为 1 万片，预计到今年底将提升至数万片。
根据 TrendForce 集邦咨询最新 HBM 产业研究，预期英伟达 Rubin 平台量产后，将带动 HBM4 需求。目前三大存储器原厂的 HBM4 验证程序已进展至尾声，预计将在 2026 年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证，SK 海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达 HBM4 的格局。
