东海证券指出，DRAM 领域不仅 HBM 投资激增，通用 DRAM 投资也大幅增长，市场供需趋于紧张；逻辑/代工制程向 2 纳米、1.4 纳米进一步微缩，相关投资持续增加；NAND 闪存领域则随着数据中心 eSSD 需求攀升，客户正逐步提升稼动率并带动新设备投资。中国市场整体 WFE 投资规模预计保持平稳，但结构正从去年的存储投资向逻辑芯片投资切换。中长期看，AI 应用将持续拉动尖端半导体投资，预计到 2030 年，高端器件晶圆前道制造设备市场将保持 10% 的复合年增长率。
广告
