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据西安电子科技大学官方消息，近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的 「岛状」 连接转化为原子级平整的 「薄膜」，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。
基于这项创新的氮化铝薄膜技术，研究团队制备出的氮化镓微波功率器件，在 X 波段和 Ka 波段分别实现了 42 W/mm 和 20 W/mm 的输出功率密度。这一数据将国际同类器件的性能纪录提升了 30% 到 40%，是近二十年来该领域最大的一次突破。这意味着，在芯片面积不变的情况下，装备探测距离可以显著增加；对于通信基站而言，则能实现更远的信号覆盖和更低的能耗。更深远的影响在于，它为推动 5G/6G 通信、卫星互联网等未来产业的发展，储备了关键的核心器件能力。
第一创业证券郭强指出，英伟达更新发布了 800 伏直流架构白皮书。未来的数据中心电源将主要采用 800V 直流供电，和现有供电方案相比，变压器由传统的线圈变压改成了以电子电子技术为主的固态变压器，最要依靠更高端的氮化镓 （GaN） 与碳化硅 （SiC） 功率半导体器件进行电力转换。按照英伟达 CEO 在今年二季度业绩分析师会议上的预计，2030 年 AI 基础设施支出可能达到 3~4 万亿美元，是 2025 年预计投资的 5 倍以上，如果考虑 AI 芯片升级则需要的功耗会更高，因此将带来功率器件需求的快速增长。
据财联社主题库显示，相关上市公司中：
士兰微Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块出货量累计达 2 万颗，第Ⅳ代 SiC 模块已送客户评测。
晶方科技投资的以色列 VisIC 公司作为全球领先的第三代半导体 GaN 器件设计公司，其正积极与国际知名厂商合作，共同开发 800V 及以上高功率主驱动逆变器模块。
