财联社 9 月 11 日讯 （编辑 马兰）韩国内存芯片制造商 SK 海力士股价创下历史新高，周五盘中一度涨至 329500 韩元，收盘时回落至 328500 韩元，收涨 7%。
该公司股价的上涨与其下一代高带宽内存 HBM4 准备量产的计划有关。SK 海力士表示，HBM4 将提供约两倍于上一代产品的带宽，并改善超过 40% 的能效，这得益于采用了 2048 个输入输出端口。
SK 海力士预计，新内存将使 AI 服务性能提升高达 69%，同时降低数据中心的电力成本，而电力需求正成为数据中心的一个关键问题。
作为英伟达的关键供应商，SK 海力士在 DRAM 销售方面也表现出色，今年早些时候其市场份额超过了三星。标普全球的数据显示，该公司在上半年占据了约 36% 的市场份额，而三星为 33%。
业内人士指出，随着英伟达在 2026 年下半年将其 AI 加速器从目前的 Blackwell 系列过渡到 Rubin 系列，其旗舰内存也预计将从 HBM3E 转向 HBM4。而若 SK 海力士顺利通过英伟达的最终测试，其内存将被 AI 芯片 Rubin 所采用。
你追我赶
今年 3 月，SK 海力士表示，已向客户交付了 HBM4 芯片样品，并透露该公司计划在今年下半年完成 12 层 HBM4 产品量产的准备工作。而这款全球首发的 HBM4 芯片极大地激励了市场对 SK 海力士的信心。
Meritz Security 高级分析师 Kim Sunwoo 预测，由于早期向主要客户供应 HBM4 以及由此产生的先发优势，SK 海力士的 HBM 市场份额到 2026 年将保持在 60% 左右。
另有消息指出，三星电子正在加紧努力确保 1c DRAM 产能，以争取在 HBM4 领域的市场份额。三星计划在明年上半年完成其平泽四号园区的相关设备投资，而平泽四号园区是三星最先进的晶圆厂之一。
业内指出，三星目前在测试方面落后竞争对手约两个月的时间，这正迫使三星加快进度。
